本文将描述NVMe/TCP如何成为面向现有数据中心的一种更优技术及其可提供的优势。

DDR接口速率越来越高，每一代产品都在挑战工艺的极限，对DDR PHY的训练要求也越来越严格。本文从新锐IP企业芯耀辉的角度，谈谈DDR PHY训练所面临的挑战，介绍芯耀辉DDR PHY训练的主要过程和优势，解释了芯耀辉如何解决DDR PHY训练中的问题。

据外媒报道，上周对 Western Digital My Book Live 存储设备的大规模擦除不仅涉及利用一个漏洞，还涉及第二个关键安全漏洞，该漏洞允许黑客在没有密码的情况下远程执行恢复出厂设置。

今天我们不谈前端，而是着重谈一谈VDI背后的那双“推手”——存储，即如何用全闪存技术优化VDI的用户体验。VDI之所以能够快速兴起，主要还是因为它能为个人提供定制化、安全的工作环境，无论是数据存取，还是操作管理，既安全又省心。尤其是在需要大规模协作的业务场景中，比如开发测试或协同设计，VDI在安全性和效率上并重，成为办公的一件利器……

要想拍出完美的照片、打网络游戏或者直播 4K 视频，都需要向智能手机处理器提供大量的图像、视频、游戏和 5G 数据。所有这些数据都会流经内存，彰显了美光的高性能 LPDDR5 对于充分发挥智能手机潜力的重要性。

新闻摘要：· 启动研发工作，通过内存扩展和池化解决方案推动数据中心架构转型，实现分解型和可组合的服务器架构；· 结合高速接口、嵌入式安全和服务器内存缓冲区方面的独特专长，研发突破性的下一代数据中心解决方案；· 利用收购PLDA和AnalogX提供的关键构件，推进CXL路线图和市场领先地位。

三星采用独特的封装工艺，将手机的运存和储存结合在一起，即uMCP。

二十多年来，MRAM的倡导者一直相信，如果有一种能够在存储器的各层上使用的先进技术，就可以建立一个更好的（存储）世界。MR AM成为主流已是不争的事实，欧盟需要确保其核心技术处于最前沿并不断发展，以期成为未来的“独角兽”。

量产推出更多内存和存储产品，赋能数据中心、智能汽车及消费类设备创新

这款新的存储器比目前已商用的闪存快快了大约5,000倍，并且速度与大多数计算机中的动态RAM差不多，而且可以存储多个数据位。研究人员本月在《自然纳米技术》杂志上在线详细介绍了他们的发现。

​​​​​​​支持需要TB级带宽的加速器，用于人工智能/机器学习（AI / ML）训练应用 完全集成的HBM2E内存接口子系统，由经过验证的PHY和控制器组成，在先进的Samsung 14/11nm FinFET工艺上经过硅验证 拥有无与伦比的系统专业知识作为后盾，为客户提供中介层和封装参考设计支持，以加快产品上市时间

安全保护功能已牢牢地嵌入内存和网络设备中，分布在整个计算系统和网络环境里。内存安全功能必须正确配置，并且还要与同样包含软件的系统协调一致，才能完全发挥其优势。

新加坡Unisantis Electronics在其官网中宣布公司推出了动态闪存（Dynamic Flash Memory：DFM）。DFM由Unisantis根据SGT Technology的成熟技术原理开发，并基于该工作和公司的创新，特别是在存储半导体领域。

这款新一代 DDR5 DRAM 的一项重大设计改进，是将 PMIC 也集成到了内存模组上（前几代仍将 PMIC 放在主板端）。