5月17日，在“2023世界电信和信息社会日大会”上，中国电信、中国移动、中国联通、中国广电联合宣布在新疆启动全球首个5G异网漫游试商用，全球电信网络开放共享再添中国方案。

在内存芯片行业陷入低迷之际， 三星12nm DRAM开始量产，使其成为现有DRAM中最先进的技术，这表明世界上最大的存储芯片制造商三星打算保持其在该领域的领导地位。

本文是关于最近的企业生成人工智能的新闻公告的综述，特别是工厂自动化、计算机视觉、边缘端以及RISC-V。

JFrog发布《2023全球软件制品应用报告》，解读当前软件包流行程度和应用趋势，全面洞悉真正适合在生产环境中运行或供企业使用的编程语言。

提供用于AI/ML、图形和网络应用的高带宽、低延迟内存接口解决方案；提供带有Rambus GDDR6控制器IP的完整内存接口子系统；扩展综合全面的高性能内存解决方案阵容，包括领先的HBM3接口解决方案。

如果存在任何的不平衡，都可能会导致效率损失和开关损坏。

兆易创新GigaDevice今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH

兆易创新GigaDevice宣布，旗下车规级GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPI NAND Flash系列产品全球累计出货量已达1亿颗

我们储存和转换日常所使用能源的方式，正在转向更多的可再生能源。

今年的推介主要聚焦在AR/VR/MR和元宇宙，公司的推荐产品包括感算芯片、ToF、显示、无线以及存储等。 

爱荷华州的安全研究员 Nicholas Starke 在分析了金士顿分发的 SSD（固态驱动器）控制器固件的几个字节，在分析了版本为“SKC2000_S2681103”的金士顿固件后，他表示这是Coldplay（酷玩乐队）的歌词。

据BleepingComputer消息，近日在Arxiv.org上发表的一篇技术论文揭示了一种针对多代英特尔CPU的攻击手法——利用新的侧信道攻击，让数据通过EFLAGS寄存器泄露。该攻击是由清华大学、马里兰大学和中国教育部计算机实验室(BUPT)的研究人员发现的。

5月3日，初创公司NEO Semiconductor宣布推出其突破性技术3D X-DRAM，该技术可以生产230层的128Gb(16GB) DRAM芯片，是当前DRAM密度的八倍。这是全球首款类3D NAND DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代整个2D DRAM市场。

近日，美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维(2D)过渡金属二硫化物(TMD)材料层，以实现更密集的集成。