广告

高通专利棒紧逼,魅族与TI的“逃跑计划”靠谱吗?

2016-12-07 网络整理 阅读:
魅族昨天其实搞了两个大新闻,一个是刷新千万机底线的魅蓝Note5,另一个则是传言魅族在珠海与德州仪器(TI)“商讨”联手研发魅族第一代手机处理器事宜。

魅族昨天其实搞了两个大新闻,一个是刷新千万机底线的魅蓝Note5,另一个则是传言魅族在珠海与德州仪器(TI)“商讨”联手研发魅族第一代手机处理器事宜。47iednc

20161207meizu001

(新浪微博科技博主@二次元科技菌爆料截图)47iednc

47iednc

高通一直以来在专利费上的不依不饶,因此魅族也没有和这个移动处理器巨头有过合作,而是与三星猎户座和联发科打交道。但(据传)由于产能问题,魅族一直拿不到三星最新的旗舰Exynos 8890,以至于魅族今年的所有产品几乎都采用的联发科处理器,从性能到用户满意度上,都使其与国内其他竞争对手的差距越拉越大,前不久网友也因联发科处理器一事,在李楠微博下愤怒留言。这对于今年的魅族来说无疑是雪上加霜的。47iednc

不过对魅族来说,年底发布的魅蓝X、PRO6 Plus终于用上了三星的处理器。据传三星这次能提供处理器,是因为NOTE 7爆炸门事件后受到影响。小编猜测,这种被高通、三星、联发科“卡住咽喉”的感觉,一定是促进魅族研发自己芯片的诱因。但是联手TI研发处理器,靠谱吗?47iednc

魅族牵手德州仪器,但仍逃不了高通的授权和专利费

德州仪器拥有非常丰富的手机处理器设计经验,其设计的SoC稳定性强、兼容性好、发热与体积控制也非常合理。凭借着这些优势,德州仪器也在手机处理器市场上斩获了不少,当年著名的摩托罗拉Milestone、诺基亚N9、黑莓Z10、三星Galaxy S等明星产品使用的都是TI的OMAP系列芯片。47iednc

但随着移动芯片市场的繁荣,德州仪器在竞争中也逐步失去优势。老对手高通在芯片之争中,明显取得了更大的优势。同时,像三星苹果这些老客户,都开始生产自己的处理器。使得德州仪器在智能手机处理器市场上的份额逐渐萎缩。47iednc

接着手机领域开始堆硬件参数,最明显的是用户对手机网络制式的需求,手机处理器市场加速洗牌,再加上涉及到基带通讯领域,高通几乎专利垄断,所以不得已退出应用芯片市场。随后,德州仪器在2012年透露将把业务转向嵌入式芯片领域。47iednc

据了解,由于TI产品迭代放缓主要因为给军方造导弹芯片的利润比手机芯片大,加上没有基带专利,必须向高通交巨额专利费,因此慢慢地退出了手机芯片领域。47iednc

目前,很多业内人士对于德州仪器重新出征手机CPU持观望态度。目前,德州仪器最需要解决的就是“通信基带”问题,虽然可以外挂基带,但是问题会非常多。更何况,如果高通基带不给你,而三星和英特尔又不支持全网通,这个问题该如何解决?47iednc

对此,有网友表示:“说德州仪器缺基带,说不定魅族会先用在平板上,基带应该会跟华为谈,或者直接用三星今年底发布的全网通基带,在2017年年底用在PRO7上。不过感觉时间会有点赶,有可能会延期到2018年。如果是真的,那么2018年上之前肯定会看到。”47iednc

也就是说,就算魅族牵手德州仪器研发自主芯片,但仍逃不了向高通缴纳授权和专利费。47iednc

就算没有专利费桎梏,此时做手机芯片的魅族也无“天时地利”

抛开高通专利不谈,现在魅族要做自主芯片,他该从拿个定位开始做呢?47iednc

众所周知,国内厂商中,自主手机芯片做得最好的是华为,从K3V2开始,华为Kirin系列一步一步走过来,并获得了巨大成功,尤其是Mate 7预期外的火爆,还有今年发布的Mate 9搭配的Kirin960超强性能,不但提高了华为的竞争力,还保证了供货。华为这种策略的成功让国内的厂商也想效仿。47iednc

而在魅族之前,小米就已经与联芯合作,制造自主处理器,并传言会将其应用到小米5C上。那么魅族要如何定位研发才能追赶上竞争对手呢?47iednc

从定位看:47iednc

首先在高端领域,高通的霸主地位应该无人能及了。早期发布的骁龙835,明年继续屠榜旗舰手机是毋庸置疑的了。这块市场就算是联发科和三星也无法撼动,归根到底,高通的“买基带,送AP”解决方案非常成功,这让后来者无法企及。47iednc

虽然说华为Kirin 960在跑分上可以和高通骁龙820一决高下,但是据华为fello 艾伟先生所讲,华为的Kirin系列暂时只会供给华为,所以高通缺少竞争者,就算魅族做处理器,也不可能敢直接挑战高端吧。47iednc

如果说做中低端,这更是一个厮杀的战场,别说联发科的Turnkey方案大放异彩,高通骁龙的6系列又便宜又好用,还有排在出货量前三的展讯虎视眈眈,请问魅族你做中低端处理器的价值?47iednc

从生产工艺看:47iednc

一般来说,中档芯片不会使用最先进的生产工艺,因为芯片的流片费用是随着生产工艺的先进程度而呈指数级增长的。所以从成本来看,魅族肯定不会使用10nm、14nm或16nm工艺(因为千元机的利润根本无法回本),而会退而求其次采用20nm或者28nm。47iednc

但是,老旧的28nm显然无法保证当下用户内核需求的。另外,要想到遭用户“围堵”的联发科最新的Helio X20和X25都采用了20nm,那么,魅族到底要从哪个工艺入手呢?47iednc

讲到这里,大家认为魅族和TI一起做手机SoC的传言靠谱吗?47iednc

2016063000012347iednc

本文为EDN电子技术设计 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
您可能感兴趣的文章
  • DC/DC转换器功率降额规范中的挑战和替代方法 当今电子系统正在将更多的功能集成到更小尺寸中,但功能增多使功耗也会增加。因此,为了应对这一趋势,提供系统电压轨的DC/DC转换器必须以更小的封装实现更高的功率,即具有更高的“功率密度”。虽然目前的转换器设计可以具有非常高效率,但仍必须消散巨大热量以将关键组件保持在其最高额定温度以下。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:SLMi33x优势 国内首款带DESAT保护功能并兼容光耦驱动的IGBT/SiC隔离驱动器,5kVrms隔离电压和高达10kV的隔离浪涌电压,CMTI超过100kV/us
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:智能终端高清显示驱 新相开发的智能终端高清显示驱动芯片NV305X,采用零电容集成技术、色彩增强技术、图像压缩技术、集成MIPI、SPI、LVDS三种接口,可以同时支持LCD和IGZO两种面板类型,国内自主研发的高速、低成本,市场竞争力强的高清显示驱动芯片。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:屏蔽栅金属氧化场效 捷捷微电 (上海) 科技有限公司已推出的 N 沟道 100V 含自有先进平台 JSFET 系列中的 JMSH1001ATL ,采用了经 AEQ-101 验证、具超优热导性能的 PowerJE10x12 (TOLL) 创新型封装。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:超高耐压贴片SJ-MOS 维安面向全球市场,在800V及以上超高压产品进行了大量的技术投入,经过近多年的超高压SJ-MOSFET产品研发积累,已开发出国内非常领先的工艺技术,可以将小封装,高耐压导通电阻做到非常低水平。给客户提供高功率密度的800V及900V以上耐压产品。此举填补国内空白,打破了进口品牌垄断的局面。降低对国外产品依存度。维安1000V超结工艺产品技术利用电荷平衡原理实现高耐压的低导通电阻的特性。相比VD-MOSFET 结构工艺产品,SJ-MOSFET有更好的更小封装和成本优势。目前市场使用1000V耐压MOSFET,多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封装。维安1000V器件WMO05N100C2,使用TO-252/DPAK贴片封装,内阻低至3.5Ω,相比同规格VDMOSFET 6-7Ω 下降1倍。目前在工业控制,中低压配电等380VAC输入场景得到广泛应用。
  • 从技术角度分析,GaN和SiC功率器件上量还欠什么? 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)这两种新器件正在推动电力电子行业发生重大变化,它们在汽车、数据中心、可再生能源、航空航天和电机驱动等多个行业取得了长足的进步。在由AspenCore集团举办的PowerUP Expo大会上,演讲嘉宾们深入探讨了包括GaN和SiC在内的宽禁带(WBG)器件的技术优势以及发展趋势。
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告
    向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了