广告

台积电又要砸5千亿,3nm或于2022 年量产?

2016-12-08 网络整理 阅读:
台积电要在晶圆代工市场维持龙头大厂地位,除了要拥有庞大的产能来满足不同客户需求外,还必须在先进制程的推进上领先竞争同业。

台湾科技部长杨弘敦12月6日表示,台积电拟投资5,000亿元(新台币)在3nm最新制程。Mxkednc

其实早在9月29日,台积电共同CEO刘德音就透露过3nm制程的计划进度,他表示在先进制程的发展进度上,除10纳米制程将在2017年第1季量产之外,7纳米制程的投产进度也在规划当中。另外,除5纳米制程目前正积极规划之外,更先进的3纳米制程也已组织了300到400人的研发团队。Mxkednc

当下半导体先进制程竞争激烈,台积电不仅面临着韩国三星电子抢单的压力,其大客户之一英特尔也对晶圆代工市场抱持兴趣。此前三星抢先秀出其10nm工艺,已让台积电察觉到了危机。因此,台积电要在晶圆代工市场维持龙头大厂地位,除了要拥有庞大的产能来满足不同客户需求外,还必须在先进制程的推进上领先竞争同业。Mxkednc

据了解,台积电将10纳米及7纳米视为同一制程世代,有9成以上的设备可以共通互用,所以,Fab 15的第5期至第7期等3座晶圆厂,都可支援10纳米及7纳米制程。台积电现已替联发科、苹果、海思等大客户代工10纳米手机晶片或应用处理器;至于7纳米的量产时间点将落在2017年底、2018年初,包括可程式逻辑闸阵列(FPGA)大厂赛灵思(Xilinx)、绘图晶片大厂辉达(NVIDIA)等,已决定采用台积电7纳米生产新一代晶片。Mxkednc

001taijidian20161208Mxkednc

台积电预期7纳米量产的2年后,也就是2020年就可顺利进入5纳米世代,并已开始进行5纳米制程的研发。除了在材料上可能有所改变,FinFET结构也可能变更,5纳米将是台积电首度将极紫外光(EUV)微影技术导入量产的主要制程节点。因此,台积电将在南科园区Fab 14第8期至第10期,规划建立5纳米制程庞大产能,全部完工后月产能可望上看10万片规模。Mxkednc

在5纳米之后的3纳米,若依摩尔定律进行,将在2022年后进入量产阶段,而台积电将在南科持续扩建Fab 15新厂第11期及第12期工程,业界认为,台积电3纳米应该会以EUV微影技术为主力的先进制程节点,不仅成本可望大幅降低,还能提供更好的功耗。Mxkednc

20160630000123Mxkednc

本文为EDN电子技术设计 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
您可能感兴趣的文章
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:超高耐压贴片SJ-MOS 维安面向全球市场,在800V及以上超高压产品进行了大量的技术投入,经过近多年的超高压SJ-MOSFET产品研发积累,已开发出国内非常领先的工艺技术,可以将小封装,高耐压导通电阻做到非常低水平。给客户提供高功率密度的800V及900V以上耐压产品。此举填补国内空白,打破了进口品牌垄断的局面。降低对国外产品依存度。维安1000V超结工艺产品技术利用电荷平衡原理实现高耐压的低导通电阻的特性。相比VD-MOSFET 结构工艺产品,SJ-MOSFET有更好的更小封装和成本优势。目前市场使用1000V耐压MOSFET,多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封装。维安1000V器件WMO05N100C2,使用TO-252/DPAK贴片封装,内阻低至3.5Ω,相比同规格VDMOSFET 6-7Ω 下降1倍。目前在工业控制,中低压配电等380VAC输入场景得到广泛应用。
  • 从技术角度分析,GaN和SiC功率器件上量还欠什么? 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)这两种新器件正在推动电力电子行业发生重大变化,它们在汽车、数据中心、可再生能源、航空航天和电机驱动等多个行业取得了长足的进步。在由AspenCore集团举办的PowerUP Expo大会上,演讲嘉宾们深入探讨了包括GaN和SiC在内的宽禁带(WBG)器件的技术优势以及发展趋势。
  • 研发转至FAE(现场应用工程师),是否远离技术了?有前途吗? 前几日,EDN小编在浏览知乎的时候,发现了一个有趣的话题《FAE有什么发展前景吗?》,被浏览次数接近九万次。小编总结了一下题主的提问:FAE是否远离技术了?未来是否有发展前景?
  • Microchip模拟嵌入式SuperFlash技术助力存算一体创新 SuperFlash memBrain存储器解决方案使知存科技片上系统(SoC)能够满足最苛刻的神经处理成本、功耗和性能要求
  • 瑞萨电子推出64位RISC-V CPU内核RZ/Five通用MPU,开创R 产品作为瑞萨现有Arm CPU内核MPU阵容的新成员扩充RZ家族的产品组合
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:功放芯片8002A优势 8002A是一款AB类,单声道带关断模式,桥式音频功率放大器。
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告
    向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了