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尼康推出全新ArF浸没式光刻机,精度小于2.1纳米

2023-12-11 16:03:35 综合报道 阅读:
尼康宣布将于2024年1月正式推出ArF 193纳米浸没式光刻机“NSR-S636E”,生产效率、套刻精度都进一步提升。尼康常务执行董事滨谷正人曾断言,“ArF液浸作为尖端曝光装置使用的电路尺寸是主战场”。

据EDN电子技术设计报道,尼康宣布将于2024年1月正式推出ArF 193纳米浸没式光刻机“NSR-S636E”,生产效率、套刻精度都进一步提升。4Lgednc

据悉,尼康这款曝光机采用增强型iAS设计,可用于高精度测量、圆翘曲和畸变校正,重叠精度(MMO)更高,号称不超过2.1纳米。4Lgednc

分辨率小于38纳米,镜头孔径1.35,曝光面积为26x33毫米。4Lgednc

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对比当前型号,它的整体生产效率可提高10-15%,创下尼康光刻设备的新高,每小时可生产280片晶圆,停机时间也更短。4Lgednc

尼康还表示,在不牺牲生产效率的前提下,新光刻机可在需要高重叠精度的半导体制造中提供更高的性能,尤其是先进逻辑和內存、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体制造,堪称最佳解决方案。4Lgednc

另据了解,新光刻机的光源技术是20世纪90年代就已经成熟的“i-line”,再加上相关零件、技术的成熟化,价格将比竞品便宜20-30%左右。4Lgednc

不过,目前尚不清楚尼康这款光刻机能制造多少纳米的芯片。4Lgednc

据EDN了解,ArF光刻机也就是DUV光刻机,光源波长达到193nm,波长的限制使得DUV无法实现更高的分辨率,因此DUV只能用于制造7nm及以上制程的芯片。4Lgednc

目前尼康主推ArF浸没式技术,大部分精力都在Arf和i-line光刻机领域。尼康曾表示:随着小型化的进展,达到了阻止现有光刻技术处理较小尺寸的理论障碍,这个问题的解决方案是浸入式光刻技术,尼康将其整合到其半导体光刻系统中。4Lgednc

尼康常务执行董事滨谷正人曾断言,“ArF液浸作为尖端曝光装置使用的电路尺寸是主战场”。4Lgednc

责编:Demi
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