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运用双MOSFET避免SEU的影响

2024-05-30 16:29:14 John Dunn 阅读:
以使用MOSFET的推挽式逆变器为例。如果“off”侧MOSFET在不应该开启的时候被误开了,其结果可能是驱动轨电压对接地近乎短路...

很久很久以前,在一个遥远的星系中,有某个东西突然间爆炸了。其造成的结果是亚原子物质的爆发,而其中的一些物质最终在我们这里找到了出路。C7cednc

这种情况经常重复出现,而且仍有更多的亚原子物质正朝着这个方向发展。当它们到达时,它们会非常地分散,以至于可以单独地检测到在它们之中的任何一个。遗憾的是,进行这种检测的对象是您巧妙设计到产品中的半导体时,造成的结果被称为“单粒子翻转”(single event upset,SEU),在某些情况下,它可能造成相当大的破坏。如果您的产品处于地球轨道或在太空中的其他地方快速移动,这一点尤其值得关注。C7cednc

以使用MOSFET的推挽式逆变器为例。如果“off”侧MOSFET在本不应该开启的时候被错误地开启,其结果可能会导致驱动轨电压对接地近乎短路。类似这样的事件可能是灾难性的。C7cednc

这张草图显示的就是这样的一种逆变器,但它具有保护功能,能够避免因单粒子翻转而造成的灾难。C7cednc

C7cednc

图1:每个标示的“X”表示MOSFET正经历一次单粒子翻转。C7cednc

无论哪一个MOSFET因单粒子翻转而导通,其余三个开关位置都将保持开关状态,直到受到冲击的MOSFET开关位置恢复正常。C7cednc

在此电路中,单粒子翻转将会暂时干扰变压器驱动平衡,但并不至于对+Vcc轨造成潜在的灾难性下拉,因为受影响的MOSFET的配套MOSFET可以维持预期的开关状态。C7cednc

(原文刊登于EDN美国版,参考链接:Doubled-up MOSFETs,由Susan Hong编译)C7cednc

责编:Ricardo
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