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Novel Crystal Technology首次量产高品质β型氧化镓100mm外延片

2021-06-16 胡安 阅读:
这一次,Novel Crystal Technology开发了100mm外延沉积设备,应用2英寸epi高品质技术,使生产和销售高品质氧化镓100mm外延片成为可能。

日本Novel Crystal Technology成功地将氧化镓外延片制造技术扩大到 100 毫米,使在 100 毫米量产线上制造氧化镓功率器件成为可能。6Fpednc

以肖特基势垒二极管(SBD)和晶体管为代表的半导体功率器件(以下简称功率器件)被集成到世界各地的所有电气设备中。目前,功率半导体材料主流材料是硅,但围绕损耗更小的电力控制,碳化硅(SiC)和氧化镓等材料的开发不断推进。此次成功实现晶圆量产化的氧化镓有望在相关竞争中占据优势。6Fpednc

氧化镓晶圆的价格比碳化硅晶圆低,而且可以更加高效地控制电力。6Fpednc

氧化镓的带隙能量为4.5eV,比目前正在开发的功率器件材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)大,是一种损耗较低的功率器件,是可以实现的梦想新材料。此外,氧化镓可以通过熔体生长法结晶,高质量、大尺寸的单晶衬底的生长速度比SiC和GaN快100倍,因此可以预期降低成本...... 6Fpednc

基于这些特点,国内外企业和研究机构正在加速研发,朝着氧化镓功率器件的早期商业化方向发展。6Fpednc

Novel Crystal Technology在 2019 年成功开发了高质量的 2 英寸(50.8 毫米)氧化镓外延片,并从 2019 年初开始制造和销售。.. 但是,由于器件的制造成本不值得2英寸的成本,因此没有功率器件的量产线,并且该晶片的使用仅限于研发。6Fpednc

这一次,Novel Crystal Technology开发了100mm外延沉积设备,应用2英寸epi高品质技术,使生产和销售高品质氧化镓100mm外延片成为可能。这使得在 100 毫米生产线上制造氧化镓功率器件成为可能。6Fpednc

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 图:SBD处理的100毫米氧化镓外延片的外观照片。(图片来源:Novel Crystal Technology)6Fpednc

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