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助力高效电路设计,纳微NV613x和NV615x系列额定电压升级至700V

2022-05-17 充电头网 阅读:
前言 氮化镓是新一代半导体技术,开关速度相比传统的硅器件快20倍,具有更低的栅极电荷和输出电荷,可以有效降低开关损耗,并提高转换效率。在特定的应用中可以节能40%左右,对于实现碳中和目标很有帮助。氮化

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氮化镓是新一代半导体技术,开关速度相比传统的硅器件快20倍,具有更低的栅极电荷和输出电荷,可以有效降低开关损耗,并提高转换效率。在特定的应用中可以节能40%左右,对于实现碳中和目标很有帮助。氮化镓目前应用在快充中,将快充的功率密度提高3倍,还能降低充电器的成本,并降低待机功耗。4xwednc

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GaNFast新升级4xwednc

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目前随着手机和笔记本充电功率的不断提升,氮化镓技术的广泛应用,显著减小了大功率充电器的体积,并进一步为增大充电功率打好基石。让终端应用通过使用氮化镓技术,来达成更大的充电功率,缩短充电时间并提升用户体验。4xwednc

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Navitas纳微半导体是一家氮化镓功率芯片公司,将氮化镓器件、驱动、控制和保护功能集成在一颗芯片中,降低氮化镓应用门槛。纳微半导体于2014年成立,并于2021年10月在纳斯达克上市(股票代码:NVTS)。最近,纳微半导体宣布,其采用GaNSense 技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片已升级以提高效率和功率密度,将加速进入更多类型的快充市场。4xwednc

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纳微推出的GaNFast功率芯片集成了GaN器件,驱动,保护和控制功能,拥有体积轻便、快速和高效的性能。截止目前,超过4000万颗纳微GaNFast氮化镓功率芯片已发货,GaN相关的终端故障率为零。4xwednc

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而采用GaNSense技术的NV613x和NV615x系列智能GaNFast氮化镓功率芯片的连续运行额定电压已从650V升级到700V,瞬态条件下的额定电压为800V,更高的额定电压可实现开关电源设计更高的功能,并为世界上一些电压不稳定、变化区间大且具有极端电压尖峰的电网的地区提供更高的耐压性能,自主系统级监控和反应确保在 30 ns 内实现“检测和保护”——比分立架构快 10 倍。4xwednc

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纳微半导体首席运营官,首席技术官兼联合创始人Dan Kinzer 表示:“GaNFast氮化镓功率芯片已在移动快充市场上提供了最高的可靠性和最高的性能,纳微半导体的工程、质量和应用团队将继续提供领先的下一代技术,采用经过验证的数据驱动方法,使客户能够在电源转换和快充充电器设计方面进行积极创新,并扩大其应用到全球更多行业和领域。4xwednc

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充电头网总结4xwednc

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作为全球领先的氮化镓功率器件设计公司,Navitas纳微半导体拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队,在材料、器件、应用程序、系统和营销及创新成功记录的领域内,积累了丰富的经验,其多位创始人的专利也累计超过了300项。4xwednc

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目前,纳微的GaNFast氮化镓功率芯片已经出货超过四千万颗,这离不开纳微团队的坚持努力和联合开发。纳微在深圳、杭州和上海有三只强大的AE团队,从客户需求定制开始,原理图绘制、布板、调试、试产、量产、纳微都提供全程的服务。纳微还和平面变压器、磁芯、控制器厂家合作,根据客户的需求进行联合设计开发。4xwednc

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