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拆解报告:加州数位TS3雷电3扩展坞

2024-10-08 充电头网 阅读:
加州数位TS3扩展坞采用铝合金外壳,提供良好的散热效果。在扩展坞机身前部设有3.5mm耳机和麦克风插座,并设有USB-A接口,扩展坞机身背面设有两个雷电3接口,设有DP显示接口,两个eSATA接口,两个USB-A接口和网线接口···

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前言K58ednc

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CalDigit加州数位是美国老牌的配件品牌,旗下产品线包括扩展坞、存储设备、数据线。产品大多采用铝合金外壳,具备散热性能卓越,结构强度高,质感与美观优势,并且功能全面,接口齐全,从而成为高端扩展坞的代名词。K58ednc

存储吧拿到了加州数位推出的TS3雷电扩展坞,这款扩展坞具备两个雷电3接口,三个5Gbps的USB-A接口,一个DP接口,一个千兆以太网接口,音频输入输出接口和两个eSATA接口,满足主流的扩展需求。下面就带来加州数位这款雷电扩展坞的拆解,一起看看内部的设计和用料。K58ednc

加州数位TS3雷电扩展坞外观K58ednc

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加州数位TS3扩展坞采用原色铝合金外壳,通过螺丝组装。K58ednc

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面板上方设有指示灯,下方设有音频接口和USB-A接口。K58ednc

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CalDigit品牌logo下方为LED指示灯。K58ednc

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3.5mm耳机接口,麦克风接口和USB-A接口特写。K58ednc

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扩展坞侧面为格栅设计,增大散热面积。K58ednc

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扩展坞背面接口面板特写,四周设有固定螺丝。K58ednc

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扩展坞接口特写,上方第一排设有两个雷电3接口,DP接口和电源输入接口。下方一排为两个eSATA接口,两个USB-A接口和RJ45网络接口。K58ednc

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底部的防滑橡胶垫印有CalDigit和认证标识。K58ednc

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机身顶部也设有加强散热的格栅。K58ednc

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使用游标卡尺测得扩展坞高度约为125.6mm。K58ednc

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扩展坞深度约为98.5mm。K58ednc

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扩展坞宽度约为44.3mm。K58ednc

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扩展坞拿在手上的大小直观感受。K58ednc

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测得扩展坞机身重量约为605g。K58ednc

加州数位TS3雷电扩展坞拆解K58ednc

看完了加州数位这款雷电扩展坞的外观展示,下面就进行拆解,一起看看内部的设计和用料。K58ednc

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首先拧开后盖的固定螺丝,拆下扩展坞后盖。K58ednc

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扩展坞内部PCBA模块采用金属外壳屏蔽。K58ednc

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取下扩展坞正面的铝合金盖板。K58ednc

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指示灯导光柱通过螺丝固定。K58ednc

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撕下扩展坞底部的防滑垫,防滑垫使用双面胶粘贴固定,内部设有固定PCBA模块的螺丝。K58ednc

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从壳体内部取出扩展坞机芯,PCBA模块使用铝合金板包裹,并使用金属外壳屏蔽。K58ednc

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扩展坞机芯一览,在右侧设有连接小板,PCBA模块通过螺丝与铜柱固定。K58ednc

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连接小板也通过螺丝固定到铝合金板。K58ednc

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铝合金板通过螺丝固定在壳体上,起到导热散热用途。K58ednc

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铝合金板固定螺丝特写。K58ednc

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另一面也设有固定螺丝。K58ednc

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拧下固定螺丝,拆下铝合金板,对应两个USB-C母座和同步降压芯片设有导热垫。K58ednc

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小板设有电源输入接口,DP接口和两个USB-C接口,右侧下方设有金手指,与连接小板相连接。K58ednc

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另一面的铝合金板同样设有导热垫,为USB HUB芯片和桥接芯片散热。K58ednc

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扩展坞内部的两块PCB与连接小板特写。K58ednc

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扩展坞内部雷电接口板特写,右侧焊接雷电控制器,下方焊接两颗USB-C控制器和对应的降压电路,左侧焊接两颗同步降压芯片。K58ednc

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背面焊接一颗时钟发生器芯片。K58ednc

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雷电控制器来自Intel英特尔,型号JHL6540,用于DP视频信号输出和数据传输,支持两个雷电接口,具备PCIe3*4数据传输和DP1.2视频传输,支持USB3.1 Gen2数据传输。K58ednc

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25.000MHz时钟晶振特写。K58ednc

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雷电控制器外置的降压电感特写,来自Coilcraft,规格为0.6μH。K58ednc

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存储器来自华邦,型号W25Q80DVNIG,容量为1MB,采用SOIC8封装。K58ednc

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两颗USB-C接口控制器来自TI德州仪器,型号TPS65983AC,已停产,后续型号为TPS65983B,芯片内部集成高速多路复用器和电源路径管理,支持外置开关管。芯片支持雷电3设计,支持DP交替模式和雷电交替模式,具备可配置的GPIO,VCONN开关和I2C接口,采用BGA96封装。K58ednc

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两颗5mΩ电流取样电阻特写。K58ednc

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两颗VBUS开关管来自TI德州仪器,型号CSD17577Q3A,NMOS,耐压30V,导阻5.3mΩ,采用SON3.3*3.3封装。K58ednc

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另外两颗同型号的VBUS开关管特写。K58ednc

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降压转换器来自TI德州仪器,型号TPS54531,是一颗28V输入电压,5A输出电流的降压转换器,芯片内部集成80mΩ开关管,具备过压保护,逐周期电流限制、频率折返和热关断保护,采用SO PowerPAD 8封装。K58ednc

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降压电感来自Coilcraft,规格为8.2μH。K58ednc

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外置肖特基二极管特写,共设有两路独立的降压电路。K58ednc

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同步降压芯片来自MPS芯源半导体,型号NB675,是一颗24V输入电压的同步降压转换器,芯片内部集成开关管,支持10A连续输出电流和12A峰值输出电流,芯片内部集成1.5A输入输出电流的LDO,开关频率为500KHz,采用QFN21封装。K58ednc

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2.2μH合金电感特写。K58ednc

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1210封装的MLCC滤波电容特写。K58ednc

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USB电源开关来自德州仪器,型号TPS2553,具备高精度电流限制,满足USB接口电流限制,并向下兼容TPS2550和TPS2551,支持75mA到1.7A电流设置,具备快速过电流响应,具备反向阻断功能,采用SOT23封装。K58ednc

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另一路同步降压电路同样采用NB675同步降压转换器。K58ednc

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4.7μH合金降压电感特写。K58ednc

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1210封装的MLCC滤波电容特写。K58ednc

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两颗负载开关来自德州仪器,丝印7296ZI,型号为TPS22920,支持3.6V输入电压,持续工作电流为4A,采用DSBGA封装。K58ednc

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同步降压芯片来自MPS芯源半导体,丝印AGC,型号为MP2315,是一颗内置开关管的同步降压转换器,支持24V输入电压和3A输出电流,采用TSOT23封装。K58ednc

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搭配使用的降压电感特写。K58ednc

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时钟发生器来自SKYWORKS思佳讯,型号Si52112-B6,是一颗双输出PCIe3时钟发生器,向下兼容PCIe1和2通用时钟,采用25MHz晶振或者时钟输入,采用8pin TSSOP封装。K58ednc

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25.000MHz时钟晶振特写。K58ednc

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用于USB-C接口过流保护的保险丝特写。K58ednc

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另一个USB-C接口使用的保险丝相同。K58ednc

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USB-C母座采用过孔焊接,黑色舌片不露铜。K58ednc

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DP接口特写。K58ednc

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扩展坞电源接口采用沉板焊接。K58ednc

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这一块PCB用于USB-A接口,网线接口和eSATA接口以及音频接口扩展,设有网卡芯片,USB集线器芯片和桥接芯片。K58ednc

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背面设有USB音频芯片和对应的存储器等元件。K58ednc

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USB桥接芯片来自FRESCO LOGIC睿思科技,型号FL1100,是一款PCIe接口转USB3.0的桥接芯片,提供4个5Gbps的USB3.0接口,采用DRQFN封装。K58ednc

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芯片外置的12.000MHz时钟晶振特写。K58ednc

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背面焊接的存储器来自ST意法半导体,型号M24C04,容量为512字节,采用SO8封装。K58ednc

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PCIe时钟缓冲器来自SKYWORKS思佳讯,型号Si53154,具备四个PCIe时钟输出,并具备四个硬件使能控制输入,并支持I2C通信控制,采用24pin-QFN封装。K58ednc

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千兆网卡桥接芯片来自Intel英特尔,型号I210-AT,是一颗单接口低功耗的千兆网卡控制器,内部集成稳压器和非易失性存储器,采用9*9 QFN封装。K58ednc

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25.000MHz时钟晶振特写。K58ednc

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在PCB背面焊接存储器,来自winbond华邦,型号W25Q32JVSIQ,容量为4MB,采用SOIC8封装。K58ednc

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用于过电压保护的TVS二极管特写。K58ednc

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网络变压器来自BOTHHAND帛汉,型号GST5009,适用于千兆应用。K58ednc

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RJ45网络接口特写。K58ednc

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用于eSATA接口的桥接芯片来自ASMedia祥硕科技,型号ASM1061,是一颗PCIe2.0转SATA 6Gbps的控制器,芯片具备两个SATA接口,支持IDE/AHCI模式,支持NCQ,采用QFN-48封装。K58ednc

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芯片外置20.000MHz时钟晶振特写。K58ednc

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芯片外置的存储器来自MXIC旺宏,型号MX25L5121E,容量为64KB,采用SOP8封装。K58ednc

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两个eSATA接口特写。K58ednc

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降压控制器来自AXElite亚瑟莱特,型号AX3301,芯片支持24V输入电压,支持100%占空比,开关频率为330KHz,具备过热关断,和短路保护功能,外置PMOS开关管,采用SOP8封装。K58ednc

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开关管来自APEC富鼎先进,型号AP4435GM,PMOS,耐压-30V,导阻20mΩ,采用SO-8封装。K58ednc

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15μH降压电感特写。K58ednc

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SS54肖特基二极管用于输出续流。K58ednc

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同步降压芯片来自MPS芯源半导体,型号MP2307DN,是一颗内置开关管的同步降压转换器,芯片支持23V输入电压,支持3A连续输出电流和4A峰值输出电流,芯片具备可编程的软启动,开关频率为340KHz,具备逐周期过电流保护,采用SOIC8封装。K58ednc

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10μH降压电感特写。K58ednc

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音频编解码器来自TI德州仪器,型号PCM2912A,为单芯片解决方案,带有USB接口和耳机放大器,支持麦克风输入,采用TQFP封装。K58ednc

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6.000MHz时钟晶振特写。K58ednc

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两颗隔直电容器规格为100μF16V。K58ednc

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3.5mm音频输入和输出接口特写。K58ednc

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用于USB-A接口的滤波电容规格为270μF16V。K58ednc

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另外两颗滤波电容规格相同。K58ednc

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一颗滤波电容规格为100μF16V。K58ednc

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用于USB接口的充电端口控制器与负载开关芯片来自TI德州仪器,型号TPS2546,芯片内置73mΩ高侧MOS管,支持3A输出电流,支持4.5~5.5V工作电压,采用WQFN16封装。K58ednc

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同步降压芯片来自fitipower天钰,丝印FA2,型号为FP6381A,是一颗内置开关管的同步降压转换器,芯片支持6V输入电压,开关频率为1.5MHz,输出电流为1.2A,采用SOT23-5封装。K58ednc

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另一颗同步降压芯片型号相同。K58ednc

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USB-A接口过流保护芯片来自德州仪器,型号TPS2556,具备可调节的电流限制,支持500mA~5A负载电流,具备快速过电流响应,芯片内置22mΩ高侧MOS管,支持2.5~6.5V工作电压,采用VSON8封装。K58ednc

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一颗TPS2556用于前面板USB-A接口过流保护。K58ednc

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两个后置USB-A接口特写。K58ednc

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前置USB-A接口特写。K58ednc

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连接小板焊接两个PCIe插座,为X4插槽长度。K58ednc

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插槽为过孔焊接固定。K58ednc

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全部拆解一览,来张全家福。K58ednc

存储吧拆解总结K58ednc

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最后附上加州数位TS3雷电3扩展坞的核心物料清单,方便大家查阅。K58ednc

加州数位TS3扩展坞采用铝合金外壳,提供良好的散热效果。在扩展坞机身前部设有3.5mm耳机和麦克风插座,并设有USB-A接口,扩展坞机身背面设有两个雷电3接口,设有DP显示接口,两个eSATA接口,两个USB-A接口和网线接口。雷电接口支持为连接的笔记本电脑提供85W充电功率,满足日常扩展需求。K58ednc

存储吧通过拆解了解到,加州数位TS3扩展坞在铝合金壳体内部设有两块PCB小板,通过侧面的连接小板连接,并采用铝合金板固定和散热。雷电接口板采用英特尔JHL6540雷电控制器,搭配使用两颗德州仪器TPS65983AC USB-C接口控制器。K58ednc

另一块小板设有睿思科技FL1100 USB接口桥接芯片,英特尔I210-AT网卡芯片,祥硕科技ASM1061 eSATA接口桥接芯片,德州仪器PCM2912A音频编解码器,实现多个接口扩展。其中USB-A接口均设有德州仪器TPS2556过流保护芯片,内部设计可靠,用料扎实。K58ednc

 
责编:Ricardo
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