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朱一明谈几种新兴memory技术的趋势

2015-12-14 孙昌旭 阅读:
前几天,EDN的姐妹电子工程专辑首席分析师孙昌旭老师与目前中国市场最红的MCU/memory厂商兆易创新(Giga Device)的创始人朱一明做了独家专访,这里摘取一部分关于他对几种新兴存储技术的点评分享给大家。
前几天,EDN的姐妹电子工程专辑首席分析师孙昌旭老师与目前中国市场最红的MCU/memory厂商兆易创新(Giga Device)的创始人朱一明做了独家专访,这里摘取一部分关于他对几种新兴存储技术的点评分享给大家。

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昌旭:近几年,memory技术发展很快,您对各种新兴技术的趋势如何预测? 朱一明:先简单地分析一下。 我们对mMemory还是很看好的,所以我们自己也投了一个创新的mMemory的公司。mRAM过去的规划是替代DRAM,如果不能替代DRAM,未来就做做小众的市场,把SRAM替换掉也是有可能。 fMemory还是比较nich,不会有太大的市场。 PMemory(相位变换memory)还是有很大的机会的,因为英特尔宣布了用于PMemory的新材料和cross point技术,将功耗大大降低,将这一技术推向前进了。根据英特尔与美光近期发布的公告看,PMemory的规划是在服务器/PC上直接要替代目前主流的DRAM,而我们的专家分析,从工艺制造上来看,PMemory未来的价格也是将比DRAM便宜很多,其Die可以做到非常小。所以,最近我们也在关注这一类的公司。 英特尔在下一代的CPU上已为PMemory留下接口。参考英特尔的资料,其性能比Nand快一千倍,但是成本又比DRAM便宜很多。所以,我们认为,至少未来在服务器中,PMemory会替代DRAM成为一个主流的技术。 而我们的思路是反过来看,PMemory这一趋势形成后,我们可以去做那些特殊的应用,我们决不会与去英特尔拼。不过,从我个人的理解,目前PMemory的缺点主要是在85度以上的温度时会不稳定;另外,写周期相对短一些。 所以,Memory产业这几年发生了很多重大的变化。第一个就是英特尔这个用于PMemory的cross point技术,如果真的2016年投入商用,就是划时代的变化。 第二个就是3D Nand。这个对于存储领域绝对是一个划时代的进步。主流公司都在往这个方向走。我们兆易创新美国的团队也在研究这个方向。三星也是3D NAND的最大推动者,第一个量产的厂商。未来在其它新兴的memory技术上,三星仍可能会是量产的首个推动者,他们大规模经济化的能力实在很强。韩国在memory这个市场地位仍是不可动摇。 第三个就RRAM,但是这个我个人认为还有一些问题。 从我们角度来看,在memory上做前沿的投资,这个非常重要。要根据公司的实力有的放矢的干,不能为了梦想盲干(呵呵,小编就不评论了)。 【分页导航】
《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载 {pagination} 紫光收购memory产业链对兆易没有影响 昌旭:作为中国最大的memory芯片厂商,紫光收购memory产业链对兆易创新有什么影响? 朱一明:没有影响。因为我们做的都是特殊市场,没有定位在commodity市场。中国一定还是需要一些Special市场。我们现在以Nor为主,慢慢地 也在向NAND推进。现在也面临一个关口:是继续在Nor市场,做到数一数二的位置?还是向一个更大的市场进军?我们的看法是:做每一个行业都要做到它的 第一名,市场空间还是很大的。玩NAND市场很难玩到第一名,所以我们仍坚持以Nor市场为主。现在在西安研究NAND产品,美国也有团队在研究,但是也 是以差异化的市场为主。 我们是武汉新芯的最大的客户。我们在新芯与中芯国际都有代工,今年前者略多一些。 【分页导航】
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