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宜普电源推出比等效MOSFET小型化12倍的GaN晶体管

时间:2017-06-07 阅读:
200 V、25 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍,可应用于无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向多种应用的EPC2046功率晶体管,包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用、太阳能微型逆变器及具低电感的马达驱动器。EPC2046的额定电压为200 V、最大导通电阻RDS(on)为25 mΩ、脉冲输出电流为55 A。

EPC2046采用芯片级封装,比使用塑胶封装的MOSFET更有效地散热,这是由于使用芯片级封装的器件可以直接散热至周遭环境,而MOSFET芯片的热量则聚集在塑胶封装内。设计师现在可以同时实现更小型化和性能更高的器件!

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow称:「EPC2046 eGaN®产品采用最新的第五代工艺,展示出EPC及其氮化镓晶体管技术如何提升产品的性能之同时能够降低器件的价格,这些优势推动全新应用的发展,是日益老化的硅MOSFET所不可以实现得到的,并且吸引目前采用MOSFET的设计师转用eGaN产品。这些全新晶体管也印证了氮化镓与MOSFET技术在性能及成本方面的绩效差距正在逐渐扩大。」

开发板

EPC9079开发板的最大器件电压为200 V、半桥、带板载栅极驱动器、内含EPC2046晶体管、板载栅极驱动电源及旁路电容。该板为2英寸乘1.5英寸,其布局可实现最优开关性能,并且包含所有重要元件,从而可以帮助工程师易于对EPC2046 eGaN FET的性能进行评估。

价格及供货

EPC2046 eGaN FET在批量为1,000片时的单价为3.51美元。

EPC9079开发板的单价为118.75美元。

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