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宜普电源推出40 V氮化镓功率晶体管,比等效MOSFET小型化8倍

时间:2017-12-20 阅读:
宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2049),应用于负载点(POL)转换器、激光雷达(LiDAR)及具低电感的马达驱动器。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶体管,应用于负载点(POL)转换器、激光雷达(LiDAR)、包络跟踪电源、D类音频放大器及具低电感的马达驱动器。 EPC2049晶体管的额定电压为40 V、最大导通电阻为5 mΩ及脉冲输出电流为175 A。

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与采用塑胶封装的MOSFET相比,采用芯片级封装的EPC2049氮化镓场效应晶体管的散热性能好很多,这是由于使用芯片级封装的氮化镓器件可以直接把热量散出至环境,而MOSFET晶片的热量则聚集在塑胶封装内。EPC2049的尺寸只是2.5毫米x 1.5毫米(3.75平方毫米)。 设计师不需要选择设计更小型化还是性能更高的产品,而是二者可以同时兼得!

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow称:「EPC2049展示出EPC公司及其氮化镓晶体管技术如何提升eGaN®器件的性能之同时能够降价。EPC2049进一步印证了eGaN与MOSFET技术在性能及成本方面的绩效差距正在继续扩大。」

价格及供货

EPC2049 eGaN FET在批量为1,000片时的单价为2.19美元,可以立即从Digikey公司、 深圳市世强先进科技有限公司或威健国际公司购买。

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