三星超越英特尔、台积电，率先采用GAA节点制造专用集成电路

今年早些时候，三星宣布已开始使用其 3GAE（3nm 级）工艺技术开始批量生产芯片，但三星未透露它在其领先节点上制造了什么样的组件。有分析粉为三星将使用 3GAE 制造用于加密货币挖掘的专用集成电路 (ASIC)。XoGednc

三星称其3GAE制造技术为MBCFETs（多桥通道场效应晶体管），是业界第一个依赖于环栅 (GAA)晶体管的工艺。XoGednc

GAA晶体管结构减少了漏电流，因为栅极现在被四个边上的沟道包围；它还可以通过调整通道的厚度来改变晶体管的性能和功耗。与5nm相比，三星新的3nm GAA可减少面积35%，同等功耗下性能提升30%，同等性能下功耗降低50%。XoGednc

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全栅场效应晶体管(GAAFET)对高性能和移动应用尤其有利，因此英特尔和台积电等公司正在努力在2024-2025年使用它们。XoGednc

但据了解，似乎第一个使用GAAFET的商业芯片是加密货币挖掘专用集成电路（ASIC），TrendForce的分析师认为，该公司明年才将使用3GAE制造工艺生产移动系统芯片。XoGednc

加密货币挖矿芯片是清理新制造技术的好工具，因为它们相对简单、体积小，并且包含许多类似的单元和结构，可用于冗余以实现可接受的产量。相比之下，移动 SoC 集成了使用不同晶体管结构的完全不同部件的负载，因此无法构建冗余单元。也就是说，三星使用加密挖掘 ASIC 来了解更多关于其 3GAE 节点的性能、功率和缺陷密度是合乎逻辑的。因此，中芯国际也使用了MinerVa挖矿ASIC来测试其7nm级节点。XoGednc

虽然三星通常在全新节点方面正式领先于台积电和英特尔，但在许多情况下，台积电生产的类似芯片运行速度更快，产量更高。XoGednc

尽管如此，三星的 3GAE 似乎足以制造带有移动 SoC 的加密货币挖掘 ASIC。此外，据DigiTime称，台积电的3nm工艺也将于今年下半年开始试产。XoGednc

确切的推出时间还不得而知，因为三星通常会在年初为其旗舰智能手机推出全新的 SoC。使用其 3GAE 节点制造先进的 SoC 将有利于其智能手机，尽管 3GAE 可能还没有准备好满足三星下一代 Galaxy S 手机的安排。XoGednc

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