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韩国研究团队开发可在极端环境下运行的下一代半导体存储器

2024-04-01 15:39:11 韩国大邱庆北科学技术院 阅读:
韩国研究人员已成功研发出一种革新性的制造技术,该技术能在低温条件下制造出高品质的氧化膜并实现精细图案化,进而生产出具有出色耐用性的非易失性电阻式随机存取存储器。这一技术突破有望满足新一代计算系统对存储器的严苛需求。

随着人工智能、大数据和物联网(IoT)等数据密集型技术的迅猛发展,市场对具备卓越耐用性、更高运行速度和更低功耗的新一代非易失性存储器的需求日益迫切。而电阻式随机存取存储器,其通过电流变化来存储信息的特性,使其成为了一种极具潜力的存储器类型。Qdfednc

然而,传统的溶液工艺技术虽然在大面积、经济高效的电阻式随机存取存储器制造方面备受青睐,但却存在只能在高温环境下工作且难以形成均匀图案的缺陷。Qdfednc

为了克服这些技术瓶颈,由韩国大邱庆北科学技术院电子工程与计算机科学系的Hyuk-jun Kwon教授领衔的研究团队,将燃烧合成技术与溶液工艺相结合,取得了显著成果。Qdfednc

Qdfednc

图形概要。图片来源:材料科学与技术杂志(2024)。 DOI:10.1016/j.jmst.2023.12.016Qdfednc

燃烧合成技术利用放热反应产生的热量来合成材料,从而无需外部高温输入,有效解决了溶液工艺过程中的温度问题。Kwon教授的团队将这一技术应用于溶液工艺的前体处理中,通过紫外线的光化学反应,在低温条件下成功获得了高质量的氧化锆(ZrO2)薄膜和精细的光图案化效果。Qdfednc

此外,该研究团队还利用这一创新技术成功制造出了具有卓越耐用性的电阻式随机存取存储器。该存储器在高温环境下能承受超过1000次的循环测试,并能保持数据存储超过100000秒。Qdfednc

值得一提的是,Kwon教授的研究团队此前已经利用燃烧合成技术在低温条件下成功生产出了SnO2薄膜晶体管。而此次研究的成功,不仅克服了现有溶液工艺技术的局限性,还开发出了一种全新的电阻式随机存取存储器,进一步拓展了该技术的应用领域。Qdfednc

对于这一研究成果,电子工程与计算机科学系的权教授表示:“这是对我们现有溶液工艺技术问题的显著改进。同时,它也有望为下一代密集计算系统和基于溶液工艺的电子产品的大规模生产做出重要贡献。”Qdfednc

该研究已发表在《材料科学与技术杂志》上。Qdfednc

论文链接:DOI:10.1016/j.jmst.2023.12.016Qdfednc

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