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台积电公布其先进 CoWoS 封装技术路线图,2023 年为小芯片和 HBM3 架构做好设计准备

2021-08-23 16:28:00 阅读:
台积电已经制定了其先进的封装技术路线图,并展示了其为下一代小芯片架构和内存解决方案做好准备的下一代 CoWoS 解决方案。

台积电在先进的芯片封装技术方面取得了快速进展。在十年内,台积电推出了五代不同的 CoWoS(基板上芯片)封装,且涵盖了消费级与服务器芯片领域。n0Fednc

在 HotChips33 年度会议期间,台积电介绍了该公司最先进的封装技术路线图,并且展示了为下一代小芯片架构和内存设计做好准备的最新一代 CoWoS 解决方案。n0Fednc

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WCCFTech称,预计台积电将在今年晚些时候发布其第 5 代 CoWoS 封装解决方案,其晶体管数量比第 3 代封装解决方案增加 20 倍。新封装将增加 3 倍的中介层面积、8 个 HBM2e 堆栈(容量高达 128 GB)、全新的 硅通孔(TSV)解决方案、厚 CU 互连和新的 TIM(Lid 封装)。n0Fednc

其中最引人注目的解决方案,莫过于使用 TSMC 第 5 代 CoWoS 封装工艺的 AMD MI200“Aldebaran”GPU 。n0Fednc

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AMD MI200“Aldebaran”GPU将是第一个在台积电制造和生产的多芯片(MCM)设计 GPU,其采用了 CDNA 2 核心架构,预计可实现一些疯狂的规格参数,例如超过 16,000 个内核、以及高达 128GB 的 HBM2E 内存容量。n0Fednc

NVIDIA 的 Hopper GPU 也将使用 MCM 小芯片架构,预计将在台积电生产。该 GPU 预计将于 2022 年推出,因此我们可以期待 NVIDIA 也能利用 Gen 5 解决方案。n0Fednc

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到第 6 代,台积电将拥有更大的掩模版面积,以集成更多的小芯片和更多的 DRAM 封装。封装设计尚未最终确定,台积电预计将在同一封装上容纳多达 8 个 HBM3 DRAM 和两个计算小芯片芯片。台积电还将以 Metal Tim 的形式提供最新的 SOC 散热解决方案,与第一代使用的 Gel TIM 相比,该解决方案有望将封装热阻降低至 0.15 倍。n0Fednc

最后,AMD CNDA 3(MI300)和英伟达 Ampere 的下下一代,都有望采用 TSMC 的 N3 工艺节点进行制造。n0Fednc

参考链接:TSMC Roadmap Lays Out Advanced CoWoS Packaging Technologies, Ready For Next-Gen Chiplet Architectures & HBM3 Memory;Demi Xia编译n0Fednc

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