广告

三星将于2022年上半年开始量产3nm芯片

2021-10-08 EDN China 阅读:
三星表示3nm制程将推迟到2022年上半年量产。原因可能是三星担心如此早批量生产这些节点可能会导致较低的良率百分比,这将导致三星浪费无数资源向客户交付小批量晶圆,进一步加剧持续的芯片短缺。

今年上半年,三星宣布其3nm GAA工艺已成功流片(Tape Out),不久前,三星宣布将量产 3GAE(3nm Gate-All-Around Early)和 3GAP(3nm Gate-All-Around Plus)节点,从而带来令人难以置信的性能和能效提升。TeBednc

但是在10月7日举办的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上,三星表示3nm制程将推迟到2022年上半年量产。TeBednc

原因可能是三星担心如此早批量生产这些节点可能会导致较低的良率百分比,这将导致三星浪费无数资源向客户交付小批量晶圆,进一步加剧持续的芯片短缺。TeBednc

推迟量产将使三星能够建立稳固的基础,更早地完成实验过程,并以更快的速度向各种客户生产更多的晶圆。TeBednc

率先将GAA工艺引入到了3nm

虽然三星3nm的量产时间相比之前的规划有所延后,但是由于其率先将GAA工艺引入到了3nm当中,这也使得其3nm的性能有望领先于台积电依然基于FinFET(鳍式场效应晶体管)工艺的3nm工艺。TeBednc

传统的平面晶体管(Planar FET)通过降低电压来节省功耗,然而,平面晶体管的短沟道效应限制了电压的继续降低,而FinFET的出现使得电压得以再次降低,但随着工艺的继续推进,FinFET已经不足以满足需求。于是,GAA技术应运而生。TeBednc

典型的GAA形式——GAAFET是(Gate-all-around FETs)采用的是纳米线沟道设计,沟道整个外轮廓都被栅极完全包裹,代表栅极对沟道的控制性更好。相比之下,传统的FinFET 沟道仅3 面被栅极包围。GAAFET 架构的晶体管提供比FinFET 更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下,GAA 的沟道控制能力强化,尺寸可以进一步微缩。TeBednc

不过,三星认为采用纳米线沟道设计不仅复杂,且付出的成本可能也大于收益。因此,三星采用了全新的GAA形式——MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),采用多层堆叠的纳米片来替代GAAFET中的纳米线。TeBednc

三星表示,MBCFET可以在保留所有GAAFET优点的情况下,最小化复杂度。同时,MBCFET的设计可以兼容之前的FinFET技术,可以直接将为FinFET的设计迁移到MBCFET上,在不提升面积的情况下,提升性能。TeBednc

尽管三星声称其 3nm 技术与其 7nm LPP 节点相比将提供 35% 的性能提升和 50% 的功耗节省,但尚未确定它与台积电的 3nm 产品相比如何。TeBednc

尽管据报道苹果已经从台积电获得了最初的 3nm 芯片供应,但由于生产这种光刻技术的芯片带来的诸多问题,这家台湾制造商可能不得不推迟批量生产。TeBednc

从目前的信息来看,三星3nm的客户将包括手机芯片大厂高通、服务器芯片厂商IBM、GPU芯片厂商NVIDIA,以及三星自家的旗舰芯片。TeBednc

责编:DemiTeBednc

本文为EDN电子技术设计 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
EDN China
暂无简介...
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
  • 别关注iPhone电池的健康百分比了,可能只是苹果的“谎言 很多iPhone用户会使用各种方法来减缓电池健康100%的下降速度,比如:电量低于80%开始充电、不要将电量用至20%以下、或者尽量边充电边使用手机。但是如果我告诉你这个数字没有意义呢?
  • 如何突破AI的内存瓶颈? 人工智能(AI)发展到今天,业内批评人士认为,目前内存是其发展的最大瓶颈。因为无法加速处理器和内存之间的数据传输,内存性能瓶颈阻碍了实际应用。本文将探讨CPU和内存之间的瓶颈及未来发展趋势。
  • Facebook开发机器"蚕",将电缆缠绕在现有的电力线上 前的光纤电缆通常都是挖掘沟渠置于地下的,因此这是一个昂贵的、破坏性的和劳动密集型的过程,在世界许多地方根本不可行。为此,Facebook开发出一种机器人,可以将电缆缠绕在现有的电力线上。
  • 面向电动汽车的氮化镓 能源转型的挑战涉及不同的市场。电动汽车(EV)的技术进步正在降低成本,但最重要的是为许多消费者提供了所需的更大里程和效率。
  • 人工智能/机器学习高带宽需求,催生HBM3内存子系统 随着在人工智能/机器学习(AI/ML)领域越来越多的厂商不断发力,内存产品设计的复杂性也快速上升,并对带宽提出了更高的要求。
  • 2021新思科技开发者大会:揽数字芯光,话未来芯愿 “2021新思科技开发者大会”在上海中心大厦成功举行。在数字经济成为经济增长新动能的当下,新思科技携手芯片开发者及行业领袖,围绕5G、物联网、人工智能、智能汽车、高性能计算等数字经济核心应用领域,共同分享前沿的芯片研发技术趋势与实践,并解密新思科技最新技术和产品,共揽数字“芯”光。
广告
热门推荐
广告
广告
EE直播间
在线研讨会
广告
广告
面包芯语
广告
向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了