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SK海力士赢得下一代高带宽内存(HBM)市场,秘诀竟是MR-MUF技术

2022-09-23 16:47:59 综合报道 阅读:
据韩国媒体报道称,SK海力士正在赢得下一代高带宽内存(HBM)市场。秘诀在于 MR-MUF技术,凭借这项自主研发的技术,SK海力士正在领先处于早期阶段的HBM市场,超越其竞争对手美光以及DRAM第一制造商三星电子。

据韩国媒体报道称,SK海力士正在赢得下一代高带宽内存(HBM)市场。gBDednc

秘诀在于 MR-MUF技术,全称为批量回流模制底部填充(Mass reflow molded underfill),它是将多个芯片放置在下层基板上,通过回流焊一次性粘合,然后同时用模塑料填充芯片之间或芯片与基板之间间隙的方法,该方法主要用于倒片封装和TSV芯片堆叠方法。gBDednc

凭借这项自主研发的技术,SK海力士正在领先处于早期阶段的HBM市场,超越其竞争对手美光以及DRAM第一制造商三星电子。值得注意的是,DRAM排名第二的SK海力​​士,在尖端内存市场技术上领先于竞争对手。 gBDednc

业内人士20日估计,SK海力士占据了高附加值产品HBM市场约70~80%的份额。 gBDednc

HBM市场现在处于起步阶段,规模本身并不大。尽管如此,作为行业第二大的SK海力​​士在高附加值DRAM市场上处于领先地位,这一事实在许多方面都具有重要意义。 gBDednc

HBM 是一种高性能产品,通过垂直连接多个 DRAM,与现有 DRAM 相比,它显着提高了数据处理速度。它是一种在缓冲芯片上堆叠多个DRAM的方法,缓冲芯片是一种临时存储设备。  gBDednc

HBM 用于人工智能 (AI)、超级计算机和高性能服务器。到目前为止,第一代(HBM)-第二代(HBM2)-第三代(HBM2E)-第四代(HBM3)正在按顺序开发。 gBDednc

由于人工智能 (AI) 和大数据的发展,全球大型科技公司正在努力寻找快速处理数据的方法。由于与现有 DRAM 相比,HBM 显着提高了数据处理速度和性能,因此预计其利用率将在未来增加。 gBDednc

6月,SK海力士宣布首次开始量产HBM3。gBDednc

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SK海力士相关人士表示,“去年10月开发出第一台HBM3后,7个月后交付给客户,在市场上处于领先地位。” gBDednc

SK hynix 在 HBM 市场中脱颖而出的驱动力是 MR-MUF 技术。MR-MUF 是一种用于封装的工艺技术。MR-MUF是指将半导体芯片贴在电路上,并在堆叠芯片时用一种称为EMC的材料填充和粘贴芯片之间的空间的过程。gBDednc

到目前为止,NCF技术已用于该过程。NCF是一种堆叠芯片的方法,在堆叠芯片时,在芯片之间使用一种薄膜。三星电子、SK海力士、美光等DRAM公司都应用了NCF技术。SK hynix 自第三代 HBM,HBM2E 以来一直在应用这种方法。 gBDednc

最初,三星电子等竞争对手预测不可能应用 MR-MUF。然而,SK hynix PKG 开发机构从一家名为 Namics 的日本公司接收材料,成功开发了该产品。据说,三星电子等DRAM大厂对此消息颇感意外。据说三星电子也在研究 MR-MUF 方法。 gBDednc

一位业内人士表示,“MR-MUF 方法的热导率是 NCF 的两倍,它会影响工艺速度和良率。gBDednc

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