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Transphorm推出四款耗尽型氮化镓器件,满足不同功率电源设计

2022-04-08 充电头网 阅读:
Transphorm的氮化镓器件具有低开关损耗以及低栅极电荷等优势, 可用于高频开关,满足太阳能发电、LED照明、大功率快充应用等。宽泛的驱动电压范围,能够很好的支持传统控制器,实现高频开关的同时,降低整体系统成本。

氮化镓开关管自从推出以来,如同MOS管分为耗尽型和增强型两种,氮化镓开关管也是分为两种。耗尽型的氮化镓开关管属于常开结构,需要串联一个低压增强型NMOS管实现常关。通过控制串联的NMOS来实现开关。qsYednc

 而为了使用方便,耗尽型的氮化镓功率器件,通常会将耗尽型的氮化镓开关管与增强型的NMOS封装在一个封装内部,行业内称为Cascode结构,也成为共源共栅型。这种结构的耗尽型氮化镓功率器件,通过控制NMOS来实现器件的开关,驱动兼容传统NMOS控制器,相比增强型氮化镓无需对电路重新设计,即可享受到氮化镓低开关损耗以及低栅极电荷等优势。qsYednc

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Transphorm公司致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm持有数量极为庞大的知识产权组合,在全球已获准和等待审批的专利超过1300项 ,是业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET的IDM企业之一。qsYednc

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其中面对快充以及新能源应用,Transphorm推出了一系列耐压650V的氮化镓功率器件,均采用DFN贴片封装,具有小体积,低导阻,低栅极电荷,低开关损耗以及降低的反向恢复电荷。可用于传统硅开关管的氮化镓替换,从而提高转换效率,缩小电源体积,减少散热需求并降低成本。qsYednc

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TP65H070L是一款DFN8*8封装的氮化镓开关管,耐压650V,瞬态耐压800V,导阻为72mΩ,栅极支持20V耐压,具备极低的反向恢复电荷,并减小开关损耗。相比传统硅器件可提升能效及开关频率,提升系统功率密度,减小系统尺寸及重量,并降低系统成本。qsYednc

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其中TH65H070L分为TP65H070LDG和TP65H070LSG,散热焊盘分别对应漏极和源极,方便大功率应用设计。可用于逆变器,马达驱动等工业应用。qsYednc

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TP65H150G4LSG是一款DFN8*8封装的氮化镓开关管,耐压650V,瞬态耐压800V,导阻为150mΩ,栅极支持20V耐压,具备极低的反向恢复电荷,并减小开关损耗。相比传统硅器件可提升能效及开关频率,提升系统功率密度,减小系统尺寸及重量,并降低系统成本。适用于快充电源及LED照明等应用。qsYednc

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TP65H300G4LSG是一款DFN8*8封装的氮化镓开关管,耐压650V,瞬态耐压725V,导阻为240mΩ,栅极支持18V耐压,具备极低的反向恢复电荷,并减小开关损耗。相比传统硅器件可提升能效及开关频率,提升系统功率密度,减小系统尺寸及重量,并降低系统成本。适用于快充电源及LED照明等应用。qsYednc

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TP65H480G4LSG是一款DFN8*8封装的氮化镓开关管,耐压650V,瞬态耐压800V,导阻为480mΩ,栅极支持18V耐压,具备极低的反向恢复电荷,并减小开关损耗。相比传统硅器件可提升能效及开关频率,提升系统功率密度,减小系统尺寸及重量,并降低系统成本。适用于快充电源及LED照明等应用。qsYednc

充电头网总结qsYednc

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第三代半导体氮化镓自身具备强大的性能优势,相比广泛应用的硅器件具有更低的开关损耗,支持更高的开关频率,可满足无桥图腾柱PFC等高频电路需求,并将氮化镓的性能优势充分发挥,提高能效同时提升电源系统的功率密度。qsYednc

责编:Admin
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